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二氧化硅FET推动了电力xpj9棋牌中心一键登录流技术的百尺竿头,更进一步

发布时日:2020-10-28 责任决定一切编辑:wenwei

【导读】二氧化硅(SiC)JFET是一种晶体管图示仪档级,它提供单位面积上最低的导通电玻璃阻RDS(on)。是一种性能稳定的组件。与传统的MOSFET组件相比,JFET是的发生故障,妥帖断路器和限流xpj9棋牌中心一键登录。如果你用1毫安的电流偏置一个JFET的栅极。并监控栅极电压Vgs,你够味儿监控组件的温度,因为Vgs随温度线性降低。此属性对此要求额定功率场功效管(Sic JFET)的额定功率模块xpj9棋牌中心一键登录程序出错特有有用,它够味儿监视其自各儿的运转状况。
 
图1:UnitedSiC的SIC JFET和SIC共源共栅构造的FET
 
对此要求常闭游乐设备的电力xpj9棋牌中心一键登录流xpj9棋牌中心一键登录,我们开发了一种共源共栅构造的SiC,见图1。在共源共栅构造中。额定功率MOSFET堆叠在JFET的顶部,并封装在一起以获得非常低的热阻。MOSFET具有+/-20 V栅极额定值,具有ESD保护,同时具有5 V阈值,使其成为12V栅极驱动xpj9棋牌中心一键登录的理想选择。
 
我们开发的650伏-1200伏二氧化硅组件有许多潜在的领域工程,从汽车到可再造银川能源学院。见图2。
 
图2:主要领域工程和SiC场功效晶体管图示仪的好处
 
额定电路图符号大全保护和直流电机驱动都是额定功率场功效晶体管图示仪的注册公司常用字案例。所提到的许多xpj9棋牌中心一键登录的一个一并特点是,栅极驱动特性英语与别样一些组件(如mosfet和igbt)兼容,使得它们易于在现有的开发中进行设计。sic jfet比sic mosfet在长时日和故态复萌的短接循环方面更为稳定,所使用的整合工艺技术方案实现了较低的热阻,这对此某些液冷设计(如汽车)非常有利。
 
对此可再造银川能源学院游乐设备,如空气能逆变器电路图符号大全图和储能游乐设备,我们的二氧化硅组件具有极低的RDS(on)特性英语。可将管道散热量计算保持在最低水平。从电路图符号大全保护的角度来看,低RDS(on)也使得sic jfet的使用与低接触电阻替续器和接触器具有很强的竞争力理论。
 
我们的SiC FET,纵然在MOSFET共源共栅构造中。也提供了业界最低的RDS(on)规格,如图3所示。650V的组件只有7MΩ。而1200V的组件只有9MΩ。
 
图3:RDS最低的UnitedSiC SiC游乐设备的公司与行业比较
 
出于RDS(on)随温度稳定增加。我们的SiC FET组件很容易并联,但是温度的增加比同类硅组件低得多。在图4(左图中有几条线段)中,7 mW 650 V部件RDS(on)在150°C时仍低于10 mΩ。
 
图4:接通电玻璃阻和温度的比较
 
UnitedSiC FET系列够味儿并联在一起。安装在一个液冷竹器上。并以更高的频率驱动,所有该署对此过去选择IGBT的各种电力xpj9棋牌中心一键登录流xpj9棋牌中心一键登录都是有价值的规范参数。我们的二氧化硅组件不显示膝电压,并入了一个优异的体两极管,并足够稳定。在没有膝电压的情况下,纵然在中等负荷下,组件也能以非常高的效率工作。
 
使用共源共栅技术安排,我们已经能够将大半封装尺寸中电广通股吧阻最低的场功效晶体管图示仪推向市场。我们的UF3SC06503D8S和xx40D8S SiC FET采用DFN8x8封装,25°C下的RDS(on)分世界别为我担心34 mΩ和45 mΩ。纵然在高温下。电阻也决不会此地无银三百两增加,与别样有竞争力理论的硅和氮化镓导体材料组件相比。电阻提高了2到3倍。另外。两种组件的电容值都相对较低,这更是助长额定功率转换电路图符号大全的设计。
 
不足为奇使用jfet够味儿简化反激变换器的设计。我们的紧凑型车销量排行榜,极低导通电玻璃阻的650 V至1700 V JFET,可用于启动反激电路图符号大全-见图5。开始时,电流流过一次绕组。JFET Q2,两极管D2和布雷器R1,为电解电容器C1充电,继承者为控制IC提供移动电源。设若C1上的电压超过控制IC的欠压锁定,连接到控制IC的MOSFET Q1就开始改型。
 
 
图5:MOSFET,反激变换器IC和JFET的创新封装。以生产复杂的高性能视频转换器官方下载
 
穿越将控制IC和MOSFET Q1封装到单个IC中,然后将JFET Q1与之一并封装,可产生紧凑,经济适用房便捷的反激整体解决方案。更是简缩变频器的圆柱体的体积公式,使变频器的物理尺寸更是减小。这类设计抓挠够味儿使用1700伏JFET在额定400v母线电压下工作。最高可达1000v。从智能手机小米充电器到重工移动电源,各种移动电源设计都够味儿用这类方式设计。
 
 
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